当时方位：姑苏恒迈瑞资料科技有限公司碳化硅原始晶锭出产厂商测验SiC碳面平整度
用于测验碳化硅C面弧度端面平整度及缺点等。4英寸至6英寸导电型碳化硅原始晶锭或半绝缘型碳化硅毛坯料
姑苏恒迈瑞公司为国内外客户成长供给碳化硅原始晶锭，也能够称之为碳化硅坯料，可用于
用于测验碳化硅C面弧度端面平整度及缺点等。4英寸至6英寸导电型碳化硅原始晶锭或半绝缘型碳化硅毛坯料
碳化硅主要是选用物理气相输运法（PVT，也称为改进的Lely法或籽晶提高法），高温化学气相堆积法（HTCVD）作为弥补。中心过程大致分为：
SiC资料具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC基的SBD以及MOSFET更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中作业。在功率等级相同的条件下，选用SiC器材可满意功率密度更高、规划更紧凑的需求。
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